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  • SG01S-18ISO90德国Sglux紫外光电二极管0.06 mm² 探测面积
    德国Sglux紫外光电二极管0.06 mm² 探测面积

    德国Sglux紫外光电二极管0.06 mm² 探测面积 紫外线宽带 (UVA+UVB+UVC) 0.06 mm² 探测器面积 TO18 封装,气密密封,两个绝缘引脚,一个额外的质量 epin 在 280 nm(峰值灵敏度)处进行 10 mW/cm² 的照射,产生约 960 nA 的电流 具有高耐辐射性的 SiC UV 光电二极管芯片(通过 PTB 检测)

    更新时间:2025-04-01型号:SG01S-18ISO90访问量:86
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  • SG01M-18S德国Sglux光电二极管紫外线宽带
    德国Sglux光电二极管紫外线宽带

    德国Sglux光电二极管紫外线宽带 SG01M-18S 系列 紫外线宽带 (UVA+UVB+UVC) 0.20 mm² 探测器面积 扁平 TO18 封装,密封,带 1 个绝缘引脚和 1 个外壳引脚 在 280 nm(峰值灵敏度)下进行 10 mW/cm² 的照射可产生约 3200 nA 的电流 具有高耐辐射性的 SiC UV 光电二极管芯片(通过 PTB 检测)

    更新时间:2025-04-01型号:SG01M-18S访问量:96
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  • SG01S-18德国Sglux紫外光电二极管280 nm峰值灵敏度
    德国Sglux紫外光电二极管280 nm峰值灵敏度

    德国Sglux紫外光电二极管280 nm峰值灵敏度 紫外线宽带 (UVA+UVB+UVC) 0.06 mm² 探测器面积 TO18 封装,密封,带 1 个绝缘引脚和 1 个外壳引脚 在 280 nm(峰值灵敏度)处进行 10 mW/cm² 的照射,产生约 960 nA 的电流 具有高耐辐射性的 SiC UV 光电二极管芯片(通过 PTB 检测)

    更新时间:2025-04-01型号:SG01S-18访问量:66
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  • FD3000系列Fermionics 光电二极管 半导体器材
    Fermionics 光电二极管 半导体器材

    Fermionics 光电二极管 半导体器材 FD3000系列 唐 I582I984229

    更新时间:2025-03-19型号:FD3000系列访问量:151
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  • FD80WFermionics 光电二极管 半导体器件
    Fermionics 光电二极管 半导体器件

    Fermionics 光电二极管 半导体器件 FD80W 唐 I582I984229

    更新时间:2025-03-19型号:FD80W访问量:150
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  • FD100系列Fermionics 光电二极管 半导体器件
    Fermionics 光电二极管 半导体器件

    Fermionics 光电二极管 半导体器件 FD100系列 唐 I582I984229

    更新时间:2025-03-19型号:FD100系列访问量:144
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  • FD50WFermionics 光电二极管 半导体器件
    Fermionics 光电二极管 半导体器件

    Fermionics 光电二极管 半导体器件 FD50W 50 µm 有源直径的 InGaAs 光电二极管,安装在带平面 AR 涂层窗口的 TO18 接头中 唐 I582I984229

    更新时间:2025-03-19型号:FD50W访问量:140
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  • FD50系列Fermionics 光电二极管 半导体器件
    Fermionics 光电二极管 半导体器件

    Fermionics 光电二极管 半导体器件 FD50系列 唐 I582I984229

    更新时间:2025-03-19型号:FD50系列访问量:120
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