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德国Sglux紫外光电二极管0.50 mm² 探测器面 紫外线宽带 （UVA+UVB+UVC） 0.50 mm² 探测器面积 扁平 TO18 封装，密封，带 1 个绝缘引脚和 1 个外壳引脚 在 280 nm（峰值灵敏度）处进行 10 μW/cm² 的照射，产生约 8 nA 的电流 具有高耐辐射性的 SiC UV 光电二极管芯片（通过 PTB 检测）
德国Sglux紫外光电二极管0.50 mm² 探测器面 紫外线宽带 （UVA+UVB+UVC） 0.50 mm² 探测器面积 TO18 封装，密封，带 1 个绝缘引脚和 1 个外壳引脚 在 280 nm（峰值灵敏度）处进行 10 μW/cm² 的照射，产生约 8 nA 的电流 具有高耐辐射性的 SiC UV 光电二极管芯片（通过 PTB 检测）
德国Sglux紫外光电二极管6H SiC 芯片 紫外线宽带 （UVA+UVB+UVC） 具有扩展 UVA 灵敏度的 6H SiC 芯片 0.20 mm² 探测器面积 扁平 TO5 封装，密封，带 1 个绝缘引脚和 1 个外壳引脚 在 290 nm（峰值灵敏度）处进行 10 mW/cm² 的照射，产生约 3200 nA 的电流
德国Sglux紫外光电二极管带集中透镜 紫外线宽带 （UVA+UVB+UVC） 0.20 mm² 探测器面积 符合 EN298（火焰监测，包括 H2 燃烧器） 高 TO5 外壳，密封，带 1 个绝缘引脚和 1 个外壳引脚 带集中透镜 在 280 nm（峰值灵敏度）下 10 μW/cm² 的照射产生约 16 nA 的电流 具有高耐辐射性的 SiC UV 光电二极管芯片（通过 PTB 检测）
德国Sglux紫外光电二极管扁平 TO5 封装 紫外线宽带 （UVA+UVB+UVC） 0.20 mm² 探测器面积 扁平 TO5 封装，气密密封，带 1 个绝缘引脚和 1 个外壳引脚，具有较大的开启角度 在 280 nm（峰值灵敏度）下进行 10 mW/cm² 的照射可产生约 3200 nA 的电流 具有高耐辐射性的 SiC UV 光电二极管芯片（通过 PTB 检测）
德国Sglux紫外光电二极管0.20 mm² 探测器面 紫外线宽带 （UVA+UVB+UVC） 0.20 mm² 探测器面积 TO18 封装，密封，带 1 个绝缘引脚和 1 个外壳引脚 在 280 nm（峰值灵敏度）下进行 10 mW/cm² 的照射可产生约 3200 nA 的电流 具有高耐辐射性的 SiC UV 光电二极管芯片（通过 PTB 检测）
德国Sglux紫外光电二极管内置扩散器 紫外线宽带 （UVA+UVB+UVC） 0.06 mm² 探测器面积 内置扩散器 TO18 封装，密封，带 1 个绝缘引脚和 1 个外壳引脚 在 280 nm（峰值灵敏度）处以 10 mW/cm² 的照射产生约 123 nA 的电流 具有高耐辐射性的 SiC UV 光电二极管芯片（通过 PTB 检测）
德国Sglux紫外光电二极管二引脚 TO5 封装 紫外线宽带 （UVA+UVB+UVC） 0.06 mm² 探测器面积 扁平 TO5 封装，气密密封，带 1 个绝缘引脚和 1 个外壳引脚，具有较大的开启角度 在 280 nm（峰值灵敏度）处进行 10 mW/cm² 的照射，产生约 960 nA 的电流 具有高耐辐射性的 SiC UV 光电二极管芯片（通过 PTB 检测）
