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美国 Opto Diode 光电二极管 ODD-12W ODD-632-004 唐经理 I582I984229
美国 opto diode 光电二极管 ODD-5W ODD-632-002 唐 I582I984229
美国 Opto Diode 光电二极管 ODD-1 ODD-632-001 唐 I582I984229
美国 Opto Diode 光电二极管 ODD-3W-2 ODD-632-007 唐 I582I9854229
美国 OPTO DIODE 光电二极管 ODA-6W-100M 唐 I582I984229
德国Sglux紫外光电二极管0.50 mm² 探测器面 紫外线宽带 (UVA+UVB+UVC) 0.50 mm² 探测器面积 扁平 TO18 封装,密封,带 1 个绝缘引脚和 1 个外壳引脚 在 280 nm(峰值灵敏度)处进行 10 μW/cm² 的照射,产生约 8 nA 的电流 具有高耐辐射性的 SiC UV 光电二极管芯片(通过 PTB 检测)
德国Sglux紫外光电二极管0.50 mm² 探测器面 紫外线宽带 (UVA+UVB+UVC) 0.50 mm² 探测器面积 TO18 封装,密封,带 1 个绝缘引脚和 1 个外壳引脚 在 280 nm(峰值灵敏度)处进行 10 μW/cm² 的照射,产生约 8 nA 的电流 具有高耐辐射性的 SiC UV 光电二极管芯片(通过 PTB 检测)
德国Sglux紫外光电二极管6H SiC 芯片 紫外线宽带 (UVA+UVB+UVC) 具有扩展 UVA 灵敏度的 6H SiC 芯片 0.20 mm² 探测器面积 扁平 TO5 封装,密封,带 1 个绝缘引脚和 1 个外壳引脚 在 290 nm(峰值灵敏度)处进行 10 mW/cm² 的照射,产生约 3200 nA 的电流