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  • ODD-12W美国 Opto Diode 光电二极管
    美国 Opto Diode 光电二极管

    美国 Opto Diode 光电二极管 ODD-12W ODD-632-004 唐经理 I582I984229

    更新时间:2025-06-11型号:ODD-12W访问量:74
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  • ODD-5W美国 opto diode 光电二极管
    美国 opto diode 光电二极管

    美国 opto diode 光电二极管 ODD-5W ODD-632-002 唐 I582I984229

    更新时间:2025-06-11型号:ODD-5W访问量:53
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  • ODD-1美国 Opto Diode 光电二极管
    美国 Opto Diode 光电二极管

    美国 Opto Diode 光电二极管 ODD-1 ODD-632-001 唐 I582I984229

    更新时间:2025-06-11型号:ODD-1访问量:57
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  • ODD-3W-2美国 Opto Diode 光电二极管
    美国 Opto Diode 光电二极管

    美国 Opto Diode 光电二极管 ODD-3W-2 ODD-632-007 唐 I582I9854229

    更新时间:2025-06-11型号:ODD-3W-2访问量:53
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  • ODA-6W-100M美国 OPTO DIODE 光电二极管
    美国 OPTO DIODE 光电二极管

    美国 OPTO DIODE 光电二极管 ODA-6W-100M 唐 I582I984229

    更新时间:2025-06-11型号:ODA-6W-100M访问量:64
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  • SG01D-18S德国Sglux紫外光电二极管0.50 mm² 探测器面
    德国Sglux紫外光电二极管0.50 mm² 探测器面

    德国Sglux紫外光电二极管0.50 mm² 探测器面 紫外线宽带 (UVA+UVB+UVC) 0.50 mm² 探测器面积 扁平 TO18 封装,密封,带 1 个绝缘引脚和 1 个外壳引脚 在 280 nm(峰值灵敏度)处进行 10 μW/cm² 的照射,产生约 8 nA 的电流 具有高耐辐射性的 SiC UV 光电二极管芯片(通过 PTB 检测)

    更新时间:2025-04-01型号:SG01D-18S访问量:224
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  • SG01D-18德国Sglux紫外光电二极管0.50 mm² 探测器面
    德国Sglux紫外光电二极管0.50 mm² 探测器面

    德国Sglux紫外光电二极管0.50 mm² 探测器面 紫外线宽带 (UVA+UVB+UVC) 0.50 mm² 探测器面积 TO18 封装,密封,带 1 个绝缘引脚和 1 个外壳引脚 在 280 nm(峰值灵敏度)处进行 10 μW/cm² 的照射,产生约 8 nA 的电流 具有高耐辐射性的 SiC UV 光电二极管芯片(通过 PTB 检测)

    更新时间:2025-04-01型号:SG01D-18访问量:153
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  • SG01M6H-5德国Sglux紫外光电二极管6H SiC 芯片
    德国Sglux紫外光电二极管6H SiC 芯片

    德国Sglux紫外光电二极管6H SiC 芯片 紫外线宽带 (UVA+UVB+UVC) 具有扩展 UVA 灵敏度的 6H SiC 芯片 0.20 mm² 探测器面积 扁平 TO5 封装,密封,带 1 个绝缘引脚和 1 个外壳引脚 在 290 nm(峰值灵敏度)处进行 10 mW/cm² 的照射,产生约 3200 nA 的电流

    更新时间:2025-04-01型号:SG01M6H-5访问量:187
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