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详细介绍
品牌 | 其他品牌 | 价格区间 | 1-1万 |
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应用领域 | 综合 | 探测器面积 | 0.20 mm2 |
封装 | 扁平 TO18 | 光谱响应度 | 280nm |
工作温度 | -55+170℃ | 反向电压 | 20V |
德国Sglux光电二极管紫外线宽带
0.06 mm² 至 36 mm² 的有源表面和用于定位的象限光电二极管
紫外线宽带灵敏度或可选滤光片,用于 UVA、UVB、UVC 或 UV 指数
各种入口窗口和外壳设计(TO 或 SMD)
自 2009 年以来自有 SiC 芯片生产
也可提供 VUV 灵敏度
德国Sglux光电二极管紫外线宽带
光电二极管是密封的,因此是压密的。但是,后触针不得与水或湿气接触。这会影响光电二极管的输出电流。
芯片的有效面积决定了光电探测器可以捕获多少个光子。半导体探测器,如 SiC-UV 光电二极管,将光子转换为电流,即光电流 I。该光电流随芯片的辐照度和有效面积线性增加。由于探测器的价格随着有效面积的增加而增加,因此面积的选择本质上是成本和光电流之间的权衡。 如果您知道要使用 UV 光电二极管测量的最小和最大辐照度,则可以使用以下简化公式来粗略估计给定有源芯片面积 AChip 的光电流 I。 I=Achip *Eλ *1000,其中 I 是光电流,单位为 nA,A 是有效芯片面积,单位为 mm²(输入值 0.06 或 0.2 或 0.5 或 1.82,或 7.6 或 36),Eλ 是要测量的紫外光源的光谱辐照度,单位为 mW/cm²。最小光电流(待测min辐照度下的光电二极管输出)应不小于 500pA。如果您不熟悉 Eλ,第一步是使用 L 芯片光电二极管 (1.00 mm²)。
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