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德国Sglux紫外光电二极管扁平 TO5 封装 紫外线宽带 （UVA+UVB+UVC） 0.20 mm² 探测器面积 扁平 TO5 封装，气密密封，带 1 个绝缘引脚和 1 个外壳引脚，具有较大的开启角度 在 280 nm（峰值灵敏度）下进行 10 mW/cm² 的照射可产生约 3200 nA 的电流 具有高耐辐射性的 SiC UV 光电二极管芯片（通过 PTB 检测）
德国Sglux紫外光电二极管0.20 mm² 探测器面 紫外线宽带 （UVA+UVB+UVC） 0.20 mm² 探测器面积 TO18 封装，密封，带 1 个绝缘引脚和 1 个外壳引脚 在 280 nm（峰值灵敏度）下进行 10 mW/cm² 的照射可产生约 3200 nA 的电流 具有高耐辐射性的 SiC UV 光电二极管芯片（通过 PTB 检测）
德国Sglux紫外光电二极管内置扩散器 紫外线宽带 （UVA+UVB+UVC） 0.06 mm² 探测器面积 内置扩散器 TO18 封装，密封，带 1 个绝缘引脚和 1 个外壳引脚 在 280 nm（峰值灵敏度）处以 10 mW/cm² 的照射产生约 123 nA 的电流 具有高耐辐射性的 SiC UV 光电二极管芯片（通过 PTB 检测）
德国Sglux紫外光电二极管二引脚 TO5 封装 紫外线宽带 （UVA+UVB+UVC） 0.06 mm² 探测器面积 扁平 TO5 封装，气密密封，带 1 个绝缘引脚和 1 个外壳引脚，具有较大的开启角度 在 280 nm（峰值灵敏度）处进行 10 mW/cm² 的照射，产生约 960 nA 的电流 具有高耐辐射性的 SiC UV 光电二极管芯片（通过 PTB 检测）
德国Sglux紫外光电二极管0.06 mm² 探测面积 紫外线宽带 （UVA+UVB+UVC） 0.06 mm² 探测器面积 TO18 封装，气密密封，两个绝缘引脚，一个额外的质量 epin 在 280 nm（峰值灵敏度）处进行 10 mW/cm² 的照射，产生约 960 nA 的电流 具有高耐辐射性的 SiC UV 光电二极管芯片（通过 PTB 检测）
德国Sglux光电二极管紫外线宽带 SG01M-18S 系列 紫外线宽带 （UVA+UVB+UVC） 0.20 mm² 探测器面积 扁平 TO18 封装，密封，带 1 个绝缘引脚和 1 个外壳引脚 在 280 nm（峰值灵敏度）下进行 10 mW/cm² 的照射可产生约 3200 nA 的电流 具有高耐辐射性的 SiC UV 光电二极管芯片（通过 PTB 检测）
德国Sglux紫外光电二极管280 nm峰值灵敏度 紫外线宽带 （UVA+UVB+UVC） 0.06 mm² 探测器面积 TO18 封装，密封，带 1 个绝缘引脚和 1 个外壳引脚 在 280 nm（峰值灵敏度）处进行 10 mW/cm² 的照射，产生约 960 nA 的电流 具有高耐辐射性的 SiC UV 光电二极管芯片（通过 PTB 检测）
Valon 6GHz 双频合成器模块 Model 5009B 唐 I582I984229
