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详细介绍
| 品牌 | 其他品牌 | 产地类别 | 进口 |
|---|---|---|---|
| 应用领域 | 综合 |
产品咨询 龚经理 I8721868497 VX同号
美国 Universitywafer 双面抛光 硅晶圆
美国 Universitywafer 双面抛光 （DSP） 硅晶片
我们提供大量超平双面抛光优质和测试级硅晶片，涵盖各种直径、厚度、方向和电阻率。我们的总厚度变化库存中只有 1 微米的 TTV。
为了增加硅晶片的平整度，就是要对晶片的背面进行抛光。双面抛光有助于降低硅晶片表面的粗糙度。在制造需要超平面和低粗糙度规格的 MEMS 器件时，这是必须的。
除非另有说明，否则以下是 CZ 晶圆。晶圆是 SEMI prime，具有一个或两个平面或缺口。总厚度变化为 <1 μm，弓形 <5μm，翘曲为 <10μm。所有晶圆均为 Prime 级，并装在密封的硬塑料盒中运输。
| 项目 | 类型/Dop | Ori. | 直径（mm） | 总吨位（μm） | Polish | 分辨率 Ωcm |
| 6971 | n 型 Si：P | [100-25° 朝向[110] ±1° | 6″ | 675 | DSP | 1-100 |
| S5594 系列 | P/B | [100] | 5″ | 990 ±8 | DSP | 1-25 |
| D868 系列 | P/B | [100] | 5″ | 590 | DSP | 1-30 |
| F709 系列 | n 型 Si：P | [100] | 5″ | 762 ±12 | DSP | 5-35 |
| S6284 系列 | n 型 Si：P | [100] ±1° | 4″ | 200 ±10 | DSP | 1,000 斐济> |
| G706 系列 | 本征 Si：- | [100] | 4″ | 500 | DSP | FZ >20,000 |
| 6356 | 本征 Si：- | [100] | 4″ | 500 | DSP | FZ >20,000 |
| J302 系列 | P/B | [100] | 4″ | 600 | DSP | 1-50 |
| 7089 | P/B | [100] | 4″ | 381 ±7 | DSP | 0.014-0.021 |
| F022 系列 | P/B | [111] ±0.3° | 4″ | 350 ±5 | DSP | <0.05 |
| 6570 | n 型 Si：P | [100] | 4″ | 400 | DSP | 1-10 |
光学相干断层扫描 （OCT） 是用于制造半导体元件的最重要工具之一。其精确的厚度测量使其能够制造高质量的硅晶片。该系统非常适合制造硅器件，例如高频集成电路。它还有助于改进制造工艺，对广泛的工业应用有效
双面抛光硅片最重要的特性是其改进的性能。其镜面处理消除了表面的微粗糙和损伤，从而提高了效率并降低了污染风险。该过程涉及几个步骤，有助于确保高质量和一致的表面处理。本文将概述双面抛光的好处以及它如何使您的业务受益。对于半导体来说，这是一种经济高效的选择。
双面抛光硅片的主要优势是其优秀的性能。晶片的两面都经过抛光至镜面光洁度。因此，表面污染显著减少。该工艺还可有效降低颗粒捕获的风险，而颗粒捕获会导致性能不佳和效率低下。抛光工艺还使硅晶片比普通晶片更薄，从而形成单铸锭制造方法。
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