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美国 UNIVERSITY WAFER P型掺杂硅衬底 晶圆

简要描述:产品咨询 龚经理 I8721868497 VX同号
美国 UNIVERSITY WAFER P型掺杂硅衬底 晶圆
P 型掺杂涉及将受体原子(如硼)引入本征(纯)硅中。这些原子的价电子比硅少(3 个而不是 4 个),在晶格中形成“空穴"。

  • 产品型号:3210
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2026-07-10
  • 访  问  量:10
产品分类PRODUCT

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品牌其他品牌产地类别进口
应用领域综合

产品咨询 龚经理 I8721868497 VX同号

美国 UNIVERSITY WAFER P型掺杂硅衬底 晶圆

什么是 P 型掺杂

P 型掺杂涉及将受体原子(如)引入本征(纯)硅中。这些原子的价电子比硅少(3 个而不是 4 个),在晶格中形成“空穴"。

它如何提高导电性:

  • 空穴充当电荷载流子。

  • 当来自相邻原子的电子跳入以填充它们时,这些空穴可以在晶格中移动。

  • 空穴的这种运动本质上是正电荷传导
    结果:添加的硼越多(在限制范围内),产生的孔就越多,电导率也就越高


本征硅P 型掺杂硅
电荷载体电子和空穴大部分是 Holes
传导率高于 intrinsic
掺杂剂示例硼、镓
运营商类型平衡大多数:孔(积极)

浮子区 (FZ) 6“Ø×25mm P 型 Si:P[100],(7,025-7,865)Ohmcm, 1 SEMI 平面 我们有大量的初装、测试和机械级未掺杂、低掺杂和高掺杂硅片 1" – 12“ 硅片 低掺杂和高掺杂 现货供应,随时可以发货。全硅片盒和部分硅片盒的示例包括:

美国 UNIVERSITY WAFER P型掺杂硅衬底 晶圆

超薄硅片

100mm P/B (100) 1-10 ohm-cm 25um 2um 薄硅也可用!

以下只是我们出售的晶圆规格之一!

  • 1“ 未掺杂硅 (100) >1,000 ohm-cm 250um DSP

  • 2 英寸 P/硼 (100) 1-10 欧姆-厘米 280 微米 SSP

  • 3“ N/磷 (100) 0.01-0.02 ohm-cm 380um DSP

  • 4“ 本征硅 (100) >20,000 ohm-cm 500um DSP

  • 6 英寸 P/B (111) <1 ohm-cm 300um SSP

  • 8“ 本征 (100) >5,000 ohm-cm 750um SSP

  • 12 英寸 P/B (100) 10-20 欧姆-厘米 DSP 850 微米

我们可以定制小批量的晶圆。我们可以把它们切成丁,把它们稀释成 2um。我们有未掺杂、低掺杂和高掺杂硅衬底,始终备有库存。

P 型硅

  • Si 项目 #1390 – 50.8mm P 型硼掺杂 (100) 0.001-0.005 ohm-cm 280um SSP Prime

  • Si 项目 #978 – 76.2mm P 型掺硼 (100) 1-10 ohm-cm 380um SSP Prime

  • Si 项目 #783 – 100mm P 型掺硼 (100) 10-20 ohm-cm 500um SSP Prime 

  • Si 项目 #2454 – 150mm P 型掺硼 (100) 0.01-0.02 ohm-cm 625um SSP

  • Si 项目 #2516 – 200mm P 型掺硼 (100) 24-36 ohm-cm 725um SSP




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